大野・生田研究室

徳島大学 大学院社会産業理工学研究部（理工学電気電子システムコース）大野・生田研究室（Ohno Ikuta Lab.）のホームページです。

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　私たちの研究室では、ポストシリコン材料/デバイスの研究開発を行っています。ナノ計測技術（Nanometrology）を基盤技術とし、 駆使する事によって材料物性からデバイス開発まで幅広い領域を研究しています。現在は、グラフェン（Graphene）を中心に研究を進めています。

INFORMATION

2026/3/23

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Uncommon characteristics of energy-harvesting by water droplet flowing on epitaxial graphene film"

K. Isai, R. Takeshita, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 65, 06SP15 (2026)(DOI: 10.35848/1347-4065/ae4d52)

2026/3/17

第73回応用物理学会春季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

17p-M_101-17 "SiC上グラフェンガスセンサの大気曝露による熱脱離特性"

南 雄太, 上田 淳也, 直井 美貴, 大野 恭秀

2025/11/19

MNC2024にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

19P-1-1 "Negative Photoresponses of the Nano-area Diode of Epitaxial Graphene/n-SiC Measured by UV Photoirradiation AFM "

Asato Nabemoto and Yasuhide Ohno

19P-1-2 "Uncommon characteristics of energy-harvesting by water droplet flowing on epitaxial graphene film "

Kouta Isai, Ryusei Takeshita and Yasuhide Ohno

2025/11/10

第17回集積化MEMSシンポジウムにて当研究室の学生が下記の発表を行いました

10P3-B-1 "グラフェン積層接合トランジスタの接合電圧変化による電流変化"

赤栩 武流, 村上 隼瑛, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

2025/9/7

第86回応用物理学会秋季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

7a-P05-35 "SiC上グラフェンFET pHセンサにおけるCl-イオンの影響"

植野 晃司, 古川 智和人, 大野 恭秀

2025/7/31

第16回集積化MEMS技術研究ワークショップにて当研究室の学生が下記の発表を行いました

"積層接合グラフェン電気特性の時間依存性"

中川 剛瑠, 大野 恭秀

2025/7/26

2025年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

Hp-4b "SiC 上グラフェンの昇温脱離法を用いた表面吸着の定量的評価"

上田 淳也, 南 雄太, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

Hp-5 "抗体配位修飾SiC上グラフェン膜を用いた抗原検出定量化"

高嶋 宙, 松村 大夢, 渡邊　昌義, 大野 恭秀, 田端 厚之, 長宗 秀明

2025/5

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Observation of nano-ripple structure of an epitaxial graphene surface in a water environment"

Kouta Hamamoto, Rensei Toyoda, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Jpn. J. Appl. Phys. 64,05SP24 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/add270)

2025/4

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Electrical properties of epitaxial graphene/n-SiC Schottky barrier diodes measured by conductive nanoprobe"

A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 64,04SP35 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/adc1d4)

2025/3

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Effect of contact force on diode characteristics of Rh/epitaxial graphene/n-SiC"

A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 64, 03SP49 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/adb758)

2024/11

ICSPMにて当研究室の学生が下記の発表を行いました

7B-1 "Electrical Properties of Epitaxial Graphene/n-SiC Schottky Barrier Diodes Measured by Conducting Nanoprobe"

A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno

7B-3 "Observation of nano-ripple structures of an epitaxial graphene surface in a water environment"

K. HamamotoR. ToyodaM. NagaseY. Ohno

2024/11

MNC2024にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

13C-4-2 "Contact Force Dependence Characteristics of Epitaxial Grapehene/n-SiC Junction"

Asato Nabemoto, Yasuhide Ohno and Masao Nagase

14P-1-20 "Nano-ripples of epitaxial graphene on SiC measured by tapping mode AFM"

Kouta Hamamoto, Rensei Toyoda, Masao Nagase and Yasuhide Ohno

2024/9

2024 56th International Conference on Solid State Devices and Materialsにおいて当研究室の学生が下記の発表を行いました

PS-08-09 "Specific Target Detection beyond Debye Screening Length in Antibody-Modified Epitaxial Graphene FETs on a SiC substrate"

Keita Murayama, Yasuhide Ohno, Masao Nagase

2024/4

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics"

Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kosuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Jpn. J. Appl. Phys., 63, 04SP56, (2024). (DOI: 10.35848/1347-4065/ad364f)

2024/3

2024年第71回応用物理学会春季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

24a-1BM-7「HisタグB-domainを用いたSiC上グラフェンへの抗体配向修飾法」

松村 大夢, 森 優介, 髙嶋 宙, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, Hoang Anh Tung, 田端 厚之, 長宗 秀明

24a-1BM-8「SiC上エピタキシャルグラフェンFETのpH依存性」

古川 智和人, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

23p-32A-2「SiC上グラフェンの液滴による電位差発生のイオン濃度依存性」

竹下 立晟, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

22p-P07-33「エピタキシャルグラフェン上の液中フォースカーブ計測」

湯川 諒磨, 豊田 蓮青, 濱本 滉太, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

2023/11

36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023)にて当研究室の学生が2022年度に行った下記の発表が表彰されました

Most Impressive Poster Award

10P-1-11 "Blackbody-like far-infrared emission from electrically biased graphene on SiC"

Taichi Kataoka, Takuma Kuhara, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Hayate Murakami, Yasuhide Ohno and Masao Nagase

MNC2023にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

16P-1-15 "Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics"

Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kohsuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase

16P-1-20 "Detection of antigens exceeding the Debye screening length using epitaxial graphene FET on SiC substrates"

Keita Murayama, Yasuhide Ohno, Taira Kajisa, Masao Nagase

2023/11/7

第15回集積化MEMSシンボジウムにて当研究室の学生が下記の発表を行いました

M-257「高電圧印加によるグラフェン積層接合の抵抗変化」

大井 基暉, 村上 隼瑛, 久保 倖介, 中川 剛瑠, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 影島 博之

2023/6/17

Materialsにグラフェン上液滴発電に関する下記の論文が掲載されました

"Energy Harvesting of Deionized Water Droplet Flow over an Epitaxial Graphene Film on a SiC Substrate"

Yasuhide Ohno, Ayumi Shimmen, Tomohiro Kinoshita, Masao Nagase, Materials, 16, 4336, (2023). (DOI: 10.3390/ma16124336)

2023/3/20

Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました

"Resistive-switching behavior in graphene-stacked diode"

Motoki Ohi, Fumiya Fukunaga, Hayate Murakami, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Jpn. J. Appl. Phys., 62, SG1031, (2023). (DOI: 10.35848/1347-4065/acbbd4)

2023/3

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました

17p-B309-14「グラフェン遠赤外エミッタを用いた材料判別」

久原 拓真, 片岡 大治, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫