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 私たちの研究室では、ポストシリコン材料/デバイスの研究開発を行っています。ナノ計測技術(Nanometrology)を基盤技術とし、 駆使する事によって材料物性からデバイス開発まで幅広い領域を研究しています。現在は、グラフェン(Graphene)を中心に研究を進めています。

2025年3月末日に永瀬雅夫先生が定年を迎えられ、ご退職されました

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INFORMATION

2025/5
Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました
"Observation of nano-ripple structure of an epitaxial graphene surface in a water environment"
K. Hamamoto, R. Toyoda, Y. Ohno, M. Nagase, Jpn. J. Appl. Phys. 64,05SP24 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/add270)
2025/4
Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました
"Electrical properties of epitaxial graphene/n-SiC Schottky barrier diodes measured by conductive nanoprobe"
A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 64,04SP35 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/adc1d4)
2025/3
Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました
"Effect of contact force on diode characteristics of Rh/epitaxial graphene/n-SiC"
A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 64, 03SP49 (2025)(DOI: 10.35848/1347-4065/adb758)
2024/11
ICSPMにて当研究室の学生が下記の発表を行いました
7B-1 "Electrical Properties of Epitaxial Graphene/n-SiC Schottky Barrier Diodes Measured by Conducting Nanoprobe"
A. Nabemoto, M. Nagase, Y. Ohno
7B-3 "Observation of nano-ripple structures of an epitaxial graphene surface in a water environment"
K. HamamotoR. ToyodaM. NagaseY. Ohno
2024/11
MNC2024にて当研究室の学生が下記の発表を行いました
13C-4-2 "Contact Force Dependence Characteristics of Epitaxial Grapehene/n-SiC Junction"
Asato Nabemoto, Yasuhide Ohno and Masao Nagase
14P-1-20 "Nano-ripples of epitaxial graphene on SiC measured by tapping mode AFM"
Kouta Hamamoto, Rensei Toyoda, Masao Nagase and Yasuhide Ohno
2024/9
2024 56th International Conference on Solid State Devices and Materialsにおいて当研究室の学生が下記の発表を行いました
PS-08-09 "Specific Target Detection beyond Debye Screening Length in Antibody-Modified Epitaxial Graphene FETs on a SiC substrate"
Keita Murayama, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
2024/4
Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました
"Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics"
Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kosuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Jpn. J. Appl. Phys., 63, 04SP56, (2024). (DOI: 10.35848/1347-4065/ad364f)
2024/3
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました
24a-1BM-7「HisタグB-domainを用いたSiC上グラフェンへの抗体配向修飾法」
松村 大夢, 森 優介, 髙嶋 宙, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, Hoang Anh Tung, 田端 厚之, 長宗 秀明
24a-1BM-8「SiC上エピタキシャルグラフェンFETのpH依存性」
古川 智和人, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
23p-32A-2「SiC上グラフェンの液滴による電位差発生のイオン濃度依存性」
竹下 立晟, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
22p-P07-33「エピタキシャルグラフェン上の液中フォースカーブ計測」
湯川 諒磨, 豊田 蓮青, 濱本 滉太, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
2023/11
36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2023)にて当研究室の学生が2022年度に行った下記の発表が表彰されました
Most Impressive Poster Award
10P-1-11 "Blackbody-like far-infrared emission from electrically biased graphene on SiC"
Taichi Kataoka, Takuma Kuhara, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Hayate Murakami, Yasuhide Ohno and Masao Nagase
MNC2023にて当研究室の学生が下記の発表を行いました
16P-1-15 "Twist angle dependence of graphene-stacked junction characteristics"
Hayate Murakami, Fumiya Fukunaga, Motoki Ohi, Kohsuke Kubo, Takeru Nakagawa, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase
16P-1-20 "Detection of antigens exceeding the Debye screening length using epitaxial graphene FET on SiC substrates"
Keita Murayama, Yasuhide Ohno, Taira Kajisa, Masao Nagase
2023/11/7
第15回集積化MEMSシンボジウムにて当研究室の学生が下記の発表を行いました
M-257「高電圧印加によるグラフェン積層接合の抵抗変化」
大井 基暉, 村上 隼瑛, 久保 倖介, 中川 剛瑠, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 影島 博之
2023/6/17
Materialsにグラフェン上液滴発電に関する下記の論文が掲載されました
"Energy Harvesting of Deionized Water Droplet Flow over an Epitaxial Graphene Film on a SiC Substrate"
Yasuhide Ohno, Ayumi Shimmen, Tomohiro Kinoshita, Masao Nagase, Materials, 16, 4336, (2023). (DOI: 10.3390/ma16124336)
2023/3/20
Jpn. J. Appl. Phys.に当研究室の学生が執筆した下記の論文が掲載されました
"Resistive-switching behavior in graphene-stacked diode"
Motoki Ohi, Fumiya Fukunaga, Hayate Murakami, Hiroyuki Kageshima, Yasuhide Ohno, Masao Nagase, Jpn. J. Appl. Phys., 62, SG1031, (2023). (DOI: 10.35848/1347-4065/acbbd4)
2023/3
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会にて当研究室の学生が下記の発表を行いました
17p-B309-14「グラフェン遠赤外エミッタを用いた材料判別」
久原 拓真, 片岡 大治, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫

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