科研費・基盤B 19310085
数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明
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平成19年度
論文（1件）
Local conductance measurement of few-layer graphene on SiC substrate using an integrated nanogap probe：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi：J. Phys: Conf. Series 100 (2008) 052006
DOI：10.1088/1742-6596/100/5/052006
国内会議等（1件）
SiC上のグラフェン成長と電気特性：
永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司（招待講演）
第55回応用物理学関係連合講演会、28p-J-5 [2008.3.28,日本大学理工学部 船橋キャンパス]
平成20年度
論文（6件）
Height Dependence of Young's Modulus for Carbon Nanopillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition：
K. Nonaka, K. Tamaru, M. Nagase, H. Yamaguchi, S. Warisawa, and S. Ishihara：Jpn. J. Appl. Phys.475116-5119 (2008)
DOI：10.1143/JJAP.47.5116
Thickness Determination of Graphene Layers Formed on SiC Using Low-Energy Electron Microscopy：
H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi：e-J. Surf. Sci. Nanotech 6 107-110 (2008)
DOI：http://dx.doi.org/10.1380/ejssnt.2008.107
In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi：Nanotechnology 19 495701 (2008)
DOI：10.1088/0957-4484/19/49/495701
Number-of-layers dependence of electronic properties of epitaxial few-layer graphene investigated by photoelectron emission microscopy：
H. Hibino, H. Kageshima, M. Kotsugi, F. Maeda, F.-Z. Guo,and Y. Watanabe：Phys. Rev. B 79 125437 (2009)
http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.79.125437
グラフェンのミクロスコピックな物性の解明(寄稿記事)：
永瀬雅夫：セラミックス（日本セラミックス協会誌） 44 181-182 (2009)
グラフェンのエレクトロニクスへの展開(寄稿記事)：
永瀬雅夫：未来材料 9 38-45 (2009)
国際会議（8件）
Local Conductance of Graphene Near Buried Atomic Steps on SiC Substrate：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
Int. Conf. Nanoscience and Technol. 2008 (ICN+T2008) [2008.07.22,Keystone/CO/USA]
In-plane conductane images of few-layer graphene on SiC substrate：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
IEEE Nanotechnology Materials and Devices 2008 (NMDC2008) [2008.10.21, Kyoto Univ./Kyoto/Japan]
Evaluation of the number of graphene layers grown on SiC: SPM and RAMAN spectroscopy studies：
H. Hibino, M. Nagase, C. Jackson, H. Kageshima, Y. Kobayashi, and H. Yamaguchi
International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008) [2008.11.17, Univ. of Aizu, Aizu-wakamatsu, Japan]
Theoretical study on epitaxial graphene formation on SiC(0001) surface：
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, and H. Yamaguchi
International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008) [2008.11.17, Univ. of Aizu, Aizu-wakamatsu, Japan]
Local conductance measurement of thermally grown graphene on SiC substrate：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
International Symposium on Graphene Devices 2008 (ISGD2008) [2008.11.18, Univ. of Aizu, Aizu-wakamatsu, Japan]
Local conductane measurement of deformed double-layer graphene on atomic step-structures of SiC substrate：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop (AHNW2008) [2008.12.07-12.12, Hapuna Beach Prince Hotel, Big Island of Hawaii, USA]
Local Conductance of Deformed Graphene Near Atomic Steps on SiC：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
Int. Symp. Nanoscale Transport and Technol. (ISNTT2009) [2009.01.23, NTT Atsugi R&D Center, Atsugi, Japan]
Novel microscopies for graphene on SiC [Invited]：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi
2009 RCIQE Int. Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices" [2009.03.02, Conference Hall, Hokkaido Univ., Sapporo, Japan]
国内会議等（4件）
二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響：
永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
2008年(平成20年)秋季 第69回応用物理学会学術講演会 [2008.09.03, 中部大学/春日井市]
SiC上のグラフェン"ー走査プローブ顕微鏡による評価技術ー（招待講演）：
永瀬雅夫
学振ナノプローブテクノロジー第１６７委員会・第５３回研究会 [2009.01.08 キャンパスプラザ京都、京都市]
SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造：
日比野浩樹，水野清義, 影島博之，永瀬雅夫，山口浩司
2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関係連合講演会 [2009.03.31, 筑波大学, つくば市]
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関係連合講演会 [2009.03.31, 筑波大学, つくば市]
その他（2件）
日刊工業新聞、炭素材料｢グラフェン｣に脚光、[取材記事] [2008.12.1]
化学と工業 ２００８年１２月号、日本化学会、カーボンナノチューブを越えるか新炭素系材料「グラフェン」、[取材記事]
平成21年度
論文（9件）
Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces：
Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, and Hiroshi Yamaguchi：Appl. Phys. Express 2 065502 (2009)
DOI：10.1143/APEX.2.065502
Direct Actuation of GaAs Membrane with the Microprobe of Scanning Probe Microscopy：
Kojiro TAMARU, Keiichiro NONAKA, Masao NAGASE, Hiroshi YAMAGUCHI, Shinichi WARISAWA, and Sunao ISHIHARA：Jpn. J. Appl. Phys. 48 06FG06 (2009)
DOI：10.1143/JJAP.48.06FG06
[Invited] Metrology of microscopic properties of graphene on SiC：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi：信学技報ED2009-61,SDM2009-56, 47-52
Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001)：
H. Hibino, S. Mizuno, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Yamaguchi：Phys. Rev. B 80 085406 (2009)
http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.80.085406
Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi：Nanotechnology 20 445704 (2009)
DOI：10.1088/0957-4484/20/44/445704
Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-Energy Electron Microscopy and First-Principles：
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, and H. Yamaguchi：Materials Science Forum 645-648 597-602 (2010)
炭素材料グラフェン(寄稿記事)：
永瀬雅夫：工業材料 58 44-45 (2010)
Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima and H. Yamaguchi：Appl. Phys. Express 3 045101 (2010)
DOI：10.1143/APEX.3.045101
Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth：
H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase：J. Phys. D 43 374005 (2010)
DOI：10.1088/0022-3727/43/37/374005
国際会議（6件）
Metrology of microscopic properties of graphene on SiC [Invited]：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009)[2009.06.24 Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea]
Study of Epitaxial Graphene Growth using LEEM and First-principles [Invited]：
H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase
13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM2009) [2009.10.12, Nurnberg, Germany]
Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene grown on SiC Studied by Surface Electron Microscopy [Invited]：
H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
22nd Int. Microproesses and Nanotechnology Conf. (MNC2009) [2009.11.18, Sheraton Sapporo Hotel, Sapporo, Japan]
Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC [Invited]：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
Int. Symp. Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2009) [2009.12.03, Sheraton Maui Resort and Spa, Kaanapali, Hawaii, USA]
Microscopic Evaluations of Structure and Electronic Properties of Epitaxial Graphene [Invited]：
H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase
7th Int. Symp. Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC’09) [2009.12.09, The Westin Maui Resort & Spa, Maui, Hawaii, USA]
Microscopic characterization of few-layer graphene on SiC using an integrated nanogap probe [Invited]：
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
17th Int. Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17) [2009.12.12, Atagawa-Height, Higashi-izu, Japan]
国内会議等（22件）
SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性：
永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
2009年(平成21年)春季 第56回応用物理学関係連合講演会 [2009.04.01, 筑波大学/つくば市]
SiC上グラフェンの物性評価（招待講演）：
永瀬雅夫
有機デバイス研究会・第７７会研究会「グラフェンの最新技術動向と展望」 [2009.04.24 静岡大学浜松キャンパス・佐鳴会館/浜松市]
グラフェンの現状と宇宙エレベータテザーとしての可能性について（招待講演）：
永瀬雅夫
（社）宇宙エレベータ協会・第３回ワークショップ [2009.05.24 日本大学理工学部駿河台キャンパス/東京都]
エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価（招待講演）：
永瀬雅夫
有機バイオSPM研究会・2009「先端材料をプローブ顕微鏡で観る・測る」 [2009.09.04, 幕張メッセ国際展示場/千葉市]
エピタキシャルグラフェン／SiC界面構造のX線CTR散乱による解析：
日比野浩樹，前田文彦, 影島博之，永瀬雅夫，広沢一郎, 渡辺義夫
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会 [2009.09.08, 富山大学/富山市]
SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算 -吸着原子・原子空孔の影響-：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会 [2009.09.08, 富山大学/富山市]
SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性（２）：
永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会 [2009.09.09, 富山大学/富山市]
Microscopic conductance measurement of few-layer graphene on SiC：
M. Nagase
2009 RIEC Cooperative Research Project on “Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation” [2009.10.06, RIEC, Tohoku Univ., Sendai, Japan]
First-principles study on energetics of C aggregation on SiC surfaces for understanding epitaxial graphene growth mechanism：
H. Kageshima
2009 RIEC Cooperative Research Project on “Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation” [2009.10.06, RIEC, Tohoku Univ., Sendai, Japan]
Surface electron microscopy studies of structure and electronic properties of epitaxial few-layer graphene grown on SiC：
H. Hibino
2009 RIEC Cooperative Research Project on “Control and Elucidation of Growth Mechanism of Graphene for device applications in the next generation” [2009.10.06, RIEC, Tohoku Univ., Sendai, Japan]
ＳｉＣ上グラフェン島の理論検討：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
東京大学物性研究所短期研究会 [2009.10.24, 東大物性研/柏市]
グラフェンの基礎物性とその理論−デバイス応用の観点から−（招待講演）：
影島博之
早稲田大学大学院先進理工学研究科第８２回QMSセミナー [2009.11.20, 早稲田大学/新宿区]
ＳｉＣ単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性－デバイス展開を目指して－（招待講演）：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 [2009.12.18, 神戸国際会議場/神戸]
炭素新材料グラフェン（招待講演）：
永瀬雅夫
第５回表面技術会議｢環境対応の先端ナノ構造｣ [2010.02.18, 東京ビックサイト/東京都]
SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス（招待講演）：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
第２回九州大学応用力学研究所グラフェン研究会｢エピタキシャルグラフェンの形成と物性｣ [2010.01.29,神戸国際会議場/神戸]
グラフェン開発の現状と極限材料応用の可能性について（招待講演）：
永瀬雅夫
平成21年度 第2回理工学研究所講演会（日本大学） [2010.03.01, 日本大学理工学部駿河台校舎/東京都]
SiC上数層グラフェンの断面TEM観察：
永瀬雅夫，日比野浩樹，影島博之，山口浩司
2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 [2010.03.18, 東海大学/平塚市]
炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動：
日比野浩樹，影島博之，永瀬雅夫，山口浩司
2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 [2010.03.18, 東海大学/平塚市]
ＳiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討：
影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，山口浩司
010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 [2010.03.18, 東海大学/平塚市]
SiC上グラフェントランジスタの電気特性評価：
田邉真一，関根佳明，永瀬雅夫，日比野浩樹
2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 [2010.03.19, 東海大学/平塚市]
SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析（招待講演）：
日比野浩樹
日本物理学会 2010年春季 第65回年次大会 [2010.03.21, 岡山大学/岡山市]
SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態（招待講演）：
影島博之
日本物理学会 2010年春季 第65回年次大会 [2010.03.22, 岡山大学/岡山市]
図書（1件）
グラフェンの機能と応用展望(一部（第１１章 SiC上のグラフェン成長と電気特性）の執筆を分担)：
監修：斉木幸一朗、徳本洋志 （シーエムシー出版）,(2009), p.147-158, ISBN:978-4-7813-0146-4
その他（5件）
日刊工業新聞、CNTからグラフェンへ、[コメント掲載] [2009.05.26]
日本経済新聞、サイエンス：宇宙旅行、エレベータで、[コメント掲載] [2009.07.12]
GAKKEN MOOK 決定版 ロケットと宇宙開発 (2009.7) p.134、学研、グラフェンの画像(資料提供)
日本経済新聞、高機能の新炭素材料「グラフェン」、[コメント掲載] [2009.09.07]
日刊工業新聞、グラフェントランジスタ 次世代素子実用化競う、[コメント掲載] [2009.12.07]