科研費・基盤B 22310086
数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御
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平成22年度
論文（6件）
Half-Integer Quantum Hall Effect in Gate-Controlled Epitaxial Graphene Devices:
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino : Appl. Phys. Express 3 075102(3pp)(2010)
DOI: 10.1143/APEX.3.075102
Study on Thermoelectric Properties of Graphene:
Hiroyuki Kageshima : Jpn. J. Appl. Phys. 49 100207(3pp)(2010)
DOI: 10.1143/JJAP.49.100207
Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe:
M. Nagase, K. Tamaru, K. Nonaka, S. Warisawa, S. Ishihara, and H. Yamaguchi : NTT Technical Rev. 8 rp1(7pp)(2010)
SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討:
影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司 : 日本結晶成長学会誌 37 190-195(2010)
SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価:
日比野浩樹, 影島博之, 田邉真一, 永瀬雅夫, 水野清義 : 固体物理 45 645-655(2010)
Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces:
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi : Appl. Phys. Express 3 115103(3pp)(2010)
DOI: 10.1143/APEX.3.115103
国際会議（12件）
Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects:
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010) No. TuD1-2 [2010.6.26, Seoul, Korea]
Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC:
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
IVC-18/ICN+T 2010/ICSS-14/VASSCAA-5 No.P1-EmP1-18 [2010.8.24, Beijing, China]
Surface Electron Microscopy of Epitaxial Graphene (Invited):
H. Hibino, H. Kageshima, S. Tanabe, M. Nagase, S. Mizuno, and S. Tanaka
Second International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2)
[2010.9.14, Amelia Island, Florida, USA]
Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors:
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010) [2010.9.23, Sendai, Japan]
Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC (Invited):
H. Hibino, T. Shinichi, H. Kageshima, and M. Nagase
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010) [2010.10.27, Sendai, Japan]
Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate (Invited):
M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010) [2010.10.28, Sendai, Japan]
Theoretical study on functions of graphene (Invited):
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010) [2010.10.29, Sendai, Japan]
Theoretical study on growth, structure, and physical properties of graphene on SiC (Invited):
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
"Japan-Korea Symposium on Surface and Nanostructure 9th" (JKSSN9) [2010.11.16, Sendai, Japan]
Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC:
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
The 2010 Fall Meeting of the Materials Research Society (MRS) No. B9. 2 [2010.12.2, Boston, USA]
Surface-enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC:
S. Yoshiaki, H. Hibino, K. Oguri, T. Akasaki, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Yamaguchi
The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011) No. PWe-12 [2011.1.12, Atsugi, Japan]
Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001) surface:
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi
The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011) No. PWe-10 [2011.1.12, Atsugi, Japan]
Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface (Invited):
H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase
2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology(IWDTF2011) P-24
[2011.1.20, Tokyo, Japan]
国内会議等（10件）
グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性について（招待講演）:
永瀬雅夫
CPC研究会 [2010.6.24, 東京都]
単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測:
田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
第71回応用物理学会学術講演会 16a-ZQ-11 [2010.9.16, 長崎大学(長崎県)]
SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界:
影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫
第71回応用物理学会学術講演会 16a-ZM-9 [2010.9.16, 長崎大学(長崎県)]
「グラフェン」物性, 評価技術(招待講演):
永瀬雅夫
MNC技術セミナー [2010.11.9, 北九州市]
グラフェン材料開発の最前線(招待講演):
永瀬雅夫
学振・将来加工技術第136委員会 第11回研究会(合同) [2010.11.19, 東京都]
SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱:
関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克弥, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬 雅夫, 山口浩司
日本物理学会 第66回年次大会 26aTA-3 [2011.3.26, 新潟市]
エピタキシャルグラフェンの Hall 移動度評価:
田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
第58回 応用物理 学関係連合講演会 26p-KE-14 [2011.3.26, 厚木市]
ラマン分光法による4H-SiC上エピタキシャルグラフェンの膜質評価:
呉龍錫, 岩本篤, 西勇輝, 船瀬雄也, 湯浅貴浩, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司
第58回 応用物理 学関係連合講演会 26p-KE-17 [2011.3.26, 厚木市]
SiC(0001)面上でのSi脱離とグラフェン形成:
影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫
第58回 応用物理 学関係連合講演会 26p-BM-1 [2011.3.26, 厚木市]
ナノプロセスと材料による新たなデバイスの創出 [招待講演]:
永瀬雅夫
第58回 応用物理 学関係連合講演会 26p-BV-4 [2011.3.26, 厚木市]
平成23年度
論文（7件）
Growth and electronic transport properties of epitaxial graphene on SiC:
H. Hibino, S. Tanabe, S. Mizuno and H. Kageshima : J. Phys. D:Appl. Phys. 45 (2012)
DOI: 10.1088/0022-3727/45/15/154008
Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects:
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi : AIP Conference Proceedings1399 755-756(2011)
DOI: 10.1063/1.3666596
Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001):
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino : Phys. Rev. B84 (2011)
DOI: 10.1103/PhysRevB.84.115458
Theoretical Study on Epitaxial Graphene Growth by Si Sublimation from SiC(0001) Surface:
H. Kageshima, H. Hibino, H. Yamaguchi, and M. Nagase : Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011)
DOI: 10.1143/JJAP.50.095601
Theoretical Study on Magnetoelectric and Thermoelectric Properties for Graphene Devices:
H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi : Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011)
DOI: 10.1143/JJAP.50.070115
Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors:
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino : Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011)
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DN04
Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC:
S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino : Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1283 (2011)
DOI: 10.1557/opl.2011.675
国際会議（3件）
Role of steps and edges in epitaxial graphene growth on SiC(0001)：
Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase
International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -[2011.12.14,タワーホール船堀(東京都)]
Microscopic Raman mapping for epitaxial graphene on 4H-SiC (0001):
O Ryongsok, A. Iwamoto, Y. Nishi, Y. Funase, T. Yuasa, T. Tomita, M. Nagase, H. Hibino, and H. Yamaguchi
24th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (MNC2011) [2011.10.27, 全日空ホテル京都(京都府)]
Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001)：
Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)[2011.09.30,愛知県産業労働センター(愛 知県)]
国内会議等（19件）
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程：
影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫
日本物理学会2012年春季第67回年次大会[2012.03.26,関西学院大学(兵庫県)]
4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関:
田尾拓人, 呉龍錫, 岩本篤, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
第59回 応用物理学関係連合講演会 17a-A3-4 [2012.03.17, 早稲田大学(東京都)]
ひずみによるラマンシフトを用いた SiC 上グラフェンの層数評価:
呉龍錫, 岩本篤, 田尾拓人, 井口宗明, 奥村俊夫, 杉村晶史, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司
第59回 応用物理学関係連合講演会 16a-B2-4 [2012.03.16, 早稲田大学(東京都)]
疑似的にフリースタンドした1層及び2層エピタキシャルグラフェンの伝導特性:
田邉真一, 高村真琴, 関根佳明, 影島博之, 日比野浩樹
第59回 応用物理学関係連合講演会 16p-B2-1 [2012.03.16, 早稲田大学(東京都)]
SiC上グラフェンの物性評価と応用技術について:
永瀬雅夫
第105回黒鉛化合物研究会（招待講演） [2012.01.27, 関西大学(大阪府)]
グラフェンの物性とデバイス応用:
永瀬雅夫
応物九州支部オータムスクール（招待講演） [2011.11.26, 九州大学(鹿児島県)]
集積化ナノプローブによる表面物性評価:
永瀬雅夫
第40回薄膜・表面物理基礎講座（招待講演） [2011.11.10, 産業技術総合研究所 臨海副都心センター(東京都)]
グラフェンとその応用:
永瀬雅夫
学振・第133委員会 第211回 研究会（招待講演） [2011.10.21, 理科大(東京都)]
SiC上グラフェンの物性評価技術:
永瀬雅夫
炭素材料学会10月セミナー（招待講演） [2011.10.14, 日本教育会館(東京都)]
新規カーボン材料グラフェンの基礎物性と応用可能性について:
永瀬雅夫
日本セラミックス協会関西支部 第14回若手フォーラム（招待講演） [2011.10.07, 関西大学セミナーハウス(奈良県)]
トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討：
影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫
日本物理学会2011年秋季大会[2011.09.22,富山大学(富山県)]
電子顕微鏡によるグラフェン観察:
永瀬雅夫
SCANTECH2011 第20回記念講演会（招待講演） [2011.09.09, 東京都市大学(東京都)]
単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性:
田邉真一, 関根佳明, 影島博之, 永瀬雅夫, 日比野浩樹
第72回 応用物理学会学術講演会 1p-E-5 [2011.09.01, 山形大学(山形県)]
エピタキシャルグラフェンの摩擦力の層数依存評価:
船瀬雄也, 岩本篤, 西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 山口浩司
第72回 応用物理学会学術講演会 1a-E-14 [2011.09.01, 山形大学(山形県)]
ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析:
岩本篤, 呉龍錫, 船瀬雄也, 西勇輝, 湯浅貴浩, 富田卓朗, 永瀬雅夫, 関根佳明, 日比野浩樹, 山口浩司
第72回 応用物理学会学術講演会 1a-E-1 [2011.09.01, 山形大学(山形県)]
SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長におけるSi脱離とC吸着の効果の比較:
影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫
第72回 応用物理学会学術講演会 1p-ZF-4 [2011.09.01, 山形大学(山形県)]
グラフェンメンブレンの形状変化:
西勇輝, 永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司
第72回 応用物理学会学術講演会 30p-E-6 [2011.08.30, 山形大学(山形県)]
グラフェンの基礎と材料としての魅力:
永瀬雅夫
日本化学会 講演会「グラフェンの魅力-基礎と応用の観点から」(招待講演)[2011.07.21, 日本化学会７階ホール(東京都)]
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成：
影島 博之
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会(招待講演)[2011.07.03,名古屋大学(愛知県)]
著書（1件）
ナノカーボンの応用と実用化 -フラーレン, ナノチューブ, グラフェンを中心に-:
永瀬雅夫 他
シーエムシー出版(2011)
平成24年度
論文（3件）
Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio：
Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi：Appl. Phys. Express 6 055101 (2013)
DOI：10.7567/APEX.6.055101
Microscopic Raman mapping of epitaxial graphene on 4H-SiC (0001)：
Ryong-Sok O, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi：Jpn. J. Appl. Phys. 51 06FD06 (2012)
DOI：10.1143/JJAP.51.06FD06
The physics of epitaxial graphene on SiC(0001)：
H Kageshima, H Hibino and S Tanabe：J. Phys.: Condens. Matter 24 314215 (2012)
DOI：10.1088/0953-8984/24/31/314215
国際会議（2件）
グラフェンの基礎物性と応用技術：
永瀬 雅夫
Advance Metallization Conf. 2012(招待講演) [2012.10.22,東京大学(東京都)]
Conductive carbon nanoprobe fabricated by focused ion beam assisted chemical vapor deposition：
Nagase Masao, Yuki Nishi, Teruki Isawa and Takuto Tao
International Conference on Nanoscience + Technology 2012 [2012.07.24，ソルボンヌ大学(フランス)]
国内会議等（5件）
SiC上グラフェンによる原子層スイッチ：
西 勇輝, 日比野 浩樹, 影島 博之, 山口 浩司, 永瀬 雅夫
第60回応用物理学会春季学術講演会 [2013.03.29,神奈川工科大学(神奈川県)]
SiC上グラフェンのラマンスペクトル測定における基板効果の評価：
岩田 義之, 岩本 篤, 井口 宗明, 永瀬 雅夫
第60回応用物理学会春季学術講演会 [2013.03.28,神奈川工科大学(神奈川県)]
SiC上グラフェン架橋構造作製のための電解エッチング条件の検討, 高村 真琴, 古川 一暁, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹：
呉 龍錫
第60回応用物理学会春季学術講演会 [2013.03.27,神奈川工科大学(神奈川県)]
走査型摩擦力顕微鏡を用いたナノ摩擦係数測定：
伊澤 輝記, 船瀬 雄也, 西 勇輝, 永瀬 雅夫
第73回応用物理学会学術講演会 [2012.09.13,愛媛大学(愛媛県)]
SiC上グラフェンの不均一成長メカニズム：
奥村 俊夫, 田尾 拓人, 呉 龍錫, 中島 健志, 永瀬 雅夫
第73回応用物理学会学術講演会 [2012.09.13,愛媛大学(愛媛県)]
著書（1件）
グラフェンが拓く材料の新領域 -物性・作製法から実用化まで-：
永瀬 雅夫 他
エヌティーエス(2012)